Úvod Výrobcovia Samsung Smartfóny budeme nabíjať len 1x týždenne: Samsung a IBM ukázali špičkovú technológiu

Smartfóny budeme nabíjať len 1x týždenne: Samsung a IBM ukázali špičkovú technológiu

1
Technologickí giganti IBM a Samsung ohlásili pokrok v spôsobe navrhovania architektúry čipov. Našli náhradu za technológiu FinFET, na ktorej sú postavené niektoré najpokročilejšie čipy súčasnosti. Okrem iných zariadení poháňajú aj moderné smartfóny. Technológiu FinFET má v budúcnosti nahradiť riešenie VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors). Na plochu čipu je vďaka nej možné uložiť ešte väčšie množstvo tranzistorov, čo povedie k vyššiemu výkonu a nižšej spotrebe energie, uvádza server The Verge. Tajomstvo technológie tkvie v usporiadaní tranzistorov na kremíkovej platni. IBM a Samsung ich chcú na čip ukladať v odlišnej, vertikálnej orientácii. Na väčšine súčasných čipov sú pritom tranzistory usporiadané horizontálne.
ibm
Foto: IBM News
Aj keď sa fyzická veľkosť tranzistorov neustále zmenšuje, ich ukladanie v jednej rovine naráža na limity. Výsledkom tak zrejme bude, že ich technológovia potiahnu smerom hore. Spoločnosti IBM a Samsung tvrdia, že VTFET technológia môže zdvojnásobiť výkon čipov v porovnaní s existujúcim FinFET riešením. Alebo inak, dosiahne zníženie spotreby o celých 85 %. To by mohlo viesť k tomu, že smartfóny budúcnosti vydržia na jedno nabitie celý týždeň, nie iba jeden-dva, vo výnimočných prípadoch tri dni.
samsung
Foto: IBM News
Myšlienky sú to pekné, stále však zostávame v prostredí laboratórií a výskumných centier. Ako sme sa už neraz presvedčili, prax môže vyzerať inak. Prezentovaný pokrok v navrhovaní čipov ale vyzerá dobre, napredovanie by vďaka nemu mohlo pokračovať podľa pravidiel Moorovho zákona. IBM sa už tento rok stihol pochváliť prvým 2nm čipom na svete. Na plochu čipu o veľkosti nechta sa mu podarilo vtesnať až 50 miliárd tranzistorov. V porovnaní so 7nm technológiou hovoril o náraste výkonu o 45 %, a to pri rovnakej spotrebe energie. Tento polovodič je však laboratórnou vzorkou, vznikol vo výskumnom centre firmy v meste Albany v americkom štáte New York. Cesta ku komerčnému nasadeniu potrvá pár rokov. Vysokú hustotu tranzistorov spoločnosť docielila pomocou vrstvenia kremíkových nanočlánkov. Superčipy zatiaľ zostávajú hudbou budúcnosti podobne, ako revolučné batériové technológie sľubujúce siahodlhú výdrž. Krok po kroku by sa k nim ale dopracovať mohli.
https://www.youtube.com/watch?v=OF3Zwfu6Ngc