Kapacita vnútorného úložiska sa tento rok prehúpla do teritória 256 GB. Samsung to však plánuje opäť zmeniť. Jeho fabrika totiž začala s výrobou 512 GB eUFS pamätí určených pre top modely budúcnosti.
Nová pamäť má rovnaké fyzické rozmery, ako 256 GB modul, čo je vzhľadom na nedostatok miesta vnútri smartfónu len a len dobre. Samsungu sa to podarilo vďaka využitiu 64-vrstvových 512 gigabitových čipov (presne ôsmich), zatiaľ čo staršia eUFS pamäť využívala 48-vrstvové čipy.
Nové úložisko má zaručiť rýchlosť sekvenčného čítania až 860 MB/s a rýchlosť sekvenčného zápisu až 255 MB/s. Inak povedané, na prekopírovanie 5 GB z úložiska postačí 6 sekúnd, na kopírovanie 5 GB súboru na úložisko 20 sekúnd. Samsung predpokladá, že na jeho novú pamäť bude možné nakopírovať celkom 21 hodín 4K videa.
Reálna rýchlosť pre aplikácie ostáva viac-menej rovnaká, a to 42 000, resp. 40 000 IOPS. V porovnaní s (micro) SD kartami určenými pre aplikácie je to slušný rozdiel.
Technológia | Náhodné zapisovanie (IOPS) | Náhodné čítanie (IOPS) |
Samsung 512GB eUFS | 42 000 | 40 000 |
Samsung 256GB eUFS | 45 000 | 40 000 |
SD A2 | 4 000 | 2 000 |
SD A1 | 1 500 | 500 |
Samsung okrem smartfónov plánuje využiť nové čipy aj v SSD diskoch a pamäťových kartách. Okrem toho má technologický gigant v pláne zvýšenie produkcie oboch, 64 aj 48-vrstvových čipov, čo naznačuje, že je naplánované rozšírenie dostupnosti, napríklad v mid-range zariadeniach.