IBM pred dvoma rokmi predstavil 7 nm proces, ktorý Samsung vo svojich čipoch využije pravdepodobne už budú rok. Najnovší počin IBM je však ešte zaujímavejší a dôležitejší.
Nový 5 nm čip totiž používa „get-all-around“ tranzistor (GAAFET) s konštrukciou označovanou ako tranzistory s kremíkovými nanoplátmi, u ktorých je kanál kompletne obalený hrdlom. Konštrukcia čipu pozostáva z viacerých vrstiev kremíkových nanoplátov.
Svojim spôsobom je architektúra GAAFET jednoduchšia než FinFET a ako napríklad server Ars Technica odhaduje, dá sa stlačiť až na veľkosť 3 nm.
IBM tvrdí, že v porovnaní s 10 nm čipmi ponúka ich 5 nm čip až o 40 percent vyšší výkon. To všetko pri rovnakej energetickej záťaži. Keď sa na to pozrieme inak, pri rovnakom výkone novinka ušetrí až 75 percent energie.
