Vnútorná pamäť je jedna z položiek, na ktorú sa majitelia hlavne lacnejších zariadení sťažujú najviac. Nemýľte si to s microSD kartami, ktoré v novších verziách neplnia rovnakú úlohu ako vnútorná pamäť, slúžia zväčša len ako úložiskom, s ktorým systém nedokáže tak pracovať, ako s vnútornou pamäťou.
S odpoveďou na otázku lacnejšieho úložiska, ktoré by sa nepohybovalo v desiatkach, ale rovno v stovkách gigabajtov prišli výskumníci z Rice University, ktorí vyrobili rezistívne pamäte RAM (RRAM).
Celý výskum takejto pamäti trval cez päť rokov, pričom výroba je možná aj v bežných teplotách. Výrobcovia by už mali finišovať s prípravami na masovú produkciu, vďaka čomu by sme RRAM mohli vidieť v prvých zariadeniach už čoskoro. Hlavným stavebným blokom RRAM je porézny oxid kremičitý, ktorého medzery sú vyplnené kovom, akým môže byť napríklad platina, alebo zlato.
Výslednými výhodami RRAM je nižšia spotreba energie, nižšia teplota pri práci a zároveň spomínaná dosiahnutá kapacita, ktorá je v porovnaní s aktuálnou vnútornou pamäťou v smartfónov niekoľkokrát vyššia.
Bude teda zaujímavé sledovať, ako ďaleko sa dostane táto nová technológia a ako rýchlo sa objaví v našich zariadeniach. Koniec koncov, kto by pri sebe nechcel mať 1 TB úložisko, ktoré na svoj chod potrebuje menej energie, než pamäť, ktorú máme v telefónoch teraz?
Informoval o tom server Phone Arena.
